耗散功率与环境温度和散热条件有关(RoJ),手册上一般给出 环境温度为20℃时PCM值。
a、额定电压Uds,它主要由VMOS管的漏源击穿电压U(BR)DS决定 b、最大漏极电流Idmax (标称MOS管电流额定参数) c、阀值电压Ugs(th) (又称门极开启电压) d、导通电阻 :Ron
按材料分: a、硅管(PN结压降:0.7V) b、锗管(PN结压降:0.3V)
3. 电容器分类: a、瓷片电容,有高压低压之分电子元件,高压瓷片可做成几万伏耐压。
a、电压控制元件,输入阻抗高。 b、导通电阻Ron大 . c、工作频率高(对功率器件而言) d、是一种元细胞集成器件,适合并联 e、DS极之间内部寄生二极管
g 、 寿 命 : 普 通 电 容 ( CD11 系 列 ) 寿 命 1000 小 时 /85°下,工作温度每降低10°C ,电解电容寿 命增加一倍。每增加10°C ,寿命减少一倍。
b、高频(铁氧体芯)电感:可做µH、mH级,非 线性元件,电感量随工作频率而改变。
a、标称容量:(mH) b、爱发体育额定电流:(载流能力)0.5A爱发体育,1A爱发体育。 c、额定电压:高压应用场合,要考虑耐压问题电子元件。 d、损耗:
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